Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Тип источника питания
Два
Количество каналов на ИС
4
Число контактов
14
Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
3МГц
Типичное двойное напряжение питания
±12 V, ±15 V, ±5 V, ±9 V
Типичная скорость нарастания
13В/мкс
Минимальная рабочая температура
0 °C
Максимальная рабочая температура
+70 °C
Полный размах напряжений
Нет
Типичное усиление по напряжению
106 дБ
Типичная интенсивность шумов входного напряжения
15нВ/√Гц
Высота
1.65мм
Размеры
8.75 x 4 x 1.65мм
Длина
8.75мм
Ширина
4мм
Информация о товаре
TL06x, TL07x, TL08x, JFET Inputs, Low Input Bias Current Operational Amplifiers
The TL06x, TL07x, and TL08x are operational amplifiers with high input impedance JFET input stage. They feature high slew rates, low input bias and offset currents, and low offset voltage temperature coefficient.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
20
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Тип источника питания
Два
Количество каналов на ИС
4
Число контактов
14
Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
3МГц
Типичное двойное напряжение питания
±12 V, ±15 V, ±5 V, ±9 V
Типичная скорость нарастания
13В/мкс
Минимальная рабочая температура
0 °C
Максимальная рабочая температура
+70 °C
Полный размах напряжений
Нет
Типичное усиление по напряжению
106 дБ
Типичная интенсивность шумов входного напряжения
15нВ/√Гц
Высота
1.65мм
Размеры
8.75 x 4 x 1.65мм
Длина
8.75мм
Ширина
4мм
Информация о товаре
TL06x, TL07x, TL08x, JFET Inputs, Low Input Bias Current Operational Amplifiers
The TL06x, TL07x, and TL08x are operational amplifiers with high input impedance JFET input stage. They feature high slew rates, low input bias and offset currents, and low offset voltage temperature coefficient.