STMicroelectronics STGD4H60DF Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 4 A 600 V, 3-Pin DPAK, Surface Mount

Код товара RS: 287-7045Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGD4H60DF
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

75 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

DPAK

Конфигурация

Одиночный коллектор, Одиночный эмиттер, Одиночный затвор

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STGD4H60DF Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 4 A 600 V, 3-Pin DPAK, Surface Mount

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics STGD4H60DF Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 4 A 600 V, 3-Pin DPAK, Surface Mount
Информация о наличии не успела загрузиться

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

75 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

DPAK

Конфигурация

Одиночный коллектор, Одиночный эмиттер, Одиночный затвор

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Страна происхождения

China