Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
27.2V
Минимальное пробивное напряжение
14.4V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SMA плоский
Максимальное обратное напряжение стабилизации
13V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
400W
Максимальный пиковый импульсный ток
85A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
4.6 x 2.9 x 1.05мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
1.05мм
Ширина
2.9мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Рабочее напряжение
13V
Напряжение электрических разрядов
30кВ
Емкость
150пФ
Длина
4.6мм
Страна происхождения
Morocco
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10000
P.O.A.
10000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
27.2V
Минимальное пробивное напряжение
14.4V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SMA плоский
Максимальное обратное напряжение стабилизации
13V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
400W
Максимальный пиковый импульсный ток
85A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
4.6 x 2.9 x 1.05мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
1.05мм
Ширина
2.9мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Рабочее напряжение
13V
Напряжение электрических разрядов
30кВ
Емкость
150пФ
Длина
4.6мм
Страна происхождения
Morocco