Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
60 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
250 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
180 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
6
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
500 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
20.3 x 15.9 x 5.3мм
Информация о товаре
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
1
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
60 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
250 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
180 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
6
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
500 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
20.3 x 15.9 x 5.3мм
Информация о товаре
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.