STMicroelectronics BDX53B NPN Darlington Transistor, 8 A 80 V HFE:750, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 486-0042Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BDX53B
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

750

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2 V

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Ширина

4.6мм

Высота

9.15мм

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.15мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 259,26

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics BDX53B NPN Darlington Transistor, 8 A 80 V HFE:750, 3-Pin TO-220
Select packaging type

тг 259,26

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics BDX53B NPN Darlington Transistor, 8 A 80 V HFE:750, 3-Pin TO-220
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 259,26тг 1 296,30
25 - 45тг 116,22тг 581,10
50 - 95тг 111,75тг 558,75
100 - 245тг 111,75тг 558,75
250+тг 107,28тг 536,40

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

750

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2 V

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Ширина

4.6мм

Высота

9.15мм

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.15мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.