onsemi SBCP56-10T1G NPN Digital Transistor, 80 V dc, 3 + Tab-Pin SOT-223

Код товара RS: 186-7433Бренд: onsemiПарт-номер производителя: SBCP56-10T1G
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 V dc

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 V dc

Число контактов

3 + Tab

Количество элементов на ИС

1

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.65мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Malaysia

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

onsemi SBCP56-10T1G NPN Digital Transistor, 80 V dc, 3 + Tab-Pin SOT-223

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

onsemi SBCP56-10T1G NPN Digital Transistor, 80 V dc, 3 + Tab-Pin SOT-223

Информация о наличии не успела загрузиться

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 V dc

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 V dc

Число контактов

3 + Tab

Количество элементов на ИС

1

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.65мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Malaysia