QRD1113 onsemi, IR Phototransistor, Through Hole 4-Pin Custom 4L package

Код товара RS: 184-1562Бренд: onsemiПарт-номер производителя: QRD1113
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Spectrums Detected

Infrared

Типичное время затухания

50мкс

Типичное время нарастания

10мкс

Количество каналов

1

Максимальный темновой ток

100нА

Количество контактов

4

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

Custom 4L

Размеры

4.39 x 6.1 x 4.65мм

Ток коллектора

0.3 (Minimum)mA

Максимальная определяемая длина волны

940нм

Спектральный диапазон чувствительности

940 нм

Напряжение эмиттер-коллектор

5V

Напряжение коллектор-эмиттер

30V

Длина

4.39мм

Ширина

6.1мм

Тип выходного сигнала

Phototransistor

Высота

4.65мм

Напряжение насыщения

0.4V

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

QRD1113 onsemi, IR Phototransistor, Through Hole 4-Pin Custom 4L package
Select packaging type

P.O.A.

QRD1113 onsemi, IR Phototransistor, Through Hole 4-Pin Custom 4L package
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Spectrums Detected

Infrared

Типичное время затухания

50мкс

Типичное время нарастания

10мкс

Количество каналов

1

Максимальный темновой ток

100нА

Количество контактов

4

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

Custom 4L

Размеры

4.39 x 6.1 x 4.65мм

Ток коллектора

0.3 (Minimum)mA

Максимальная определяемая длина волны

940нм

Спектральный диапазон чувствительности

940 нм

Напряжение эмиттер-коллектор

5V

Напряжение коллектор-эмиттер

30V

Длина

4.39мм

Ширина

6.1мм

Тип выходного сигнала

Phototransistor

Высота

4.65мм

Напряжение насыщения

0.4V

Страна происхождения

China