Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
600 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
200
P.O.A.
200
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
200 - 200 | P.O.A. |
400 - 800 | P.O.A. |
1000 - 1800 | P.O.A. |
2000 - 3800 | P.O.A. |
4000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
600 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.