Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
10 to 40mA
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-40 В
Максимальное напряжение сток-затвор
40V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Размеры
2.9 x 1.3 x 1.04мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Высота
1.04мм
Ширина
1.3мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
50 - 200 | P.O.A. |
250 - 450 | P.O.A. |
500 - 2450 | P.O.A. |
2500 - 4950 | P.O.A. |
5000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
10 to 40mA
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-40 В
Максимальное напряжение сток-затвор
40V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Размеры
2.9 x 1.3 x 1.04мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Высота
1.04мм
Ширина
1.3мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.