onsemi MJE200G NPN Transistor, 10 A, 40 V, 3-Pin TO-225

Код товара RS: 184-4894Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MJE200G
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Количество элементов на ИС

1

Тип транзистора

NPN

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное напряжение эмиттер-база

8 V dc

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Максимальная рабочая частота

10 МГц

Максимальное напряжение коллектор-база

25 В пост. тока

Максимальный пост. ток коллектора

10 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Максимальное рассеяние мощности

15 Вт

Тип корпуса

TO-225

Батареи

3 x AAA Battery

Размеры

7.8 x 3 x 11.1мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi MJE200G NPN Transistor, 10 A, 40 V, 3-Pin TO-225
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

onsemi MJE200G NPN Transistor, 10 A, 40 V, 3-Pin TO-225
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Количество элементов на ИС

1

Тип транзистора

NPN

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное напряжение эмиттер-база

8 V dc

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Максимальная рабочая частота

10 МГц

Максимальное напряжение коллектор-база

25 В пост. тока

Максимальный пост. ток коллектора

10 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Максимальное рассеяние мощности

15 Вт

Тип корпуса

TO-225

Батареи

3 x AAA Battery

Размеры

7.8 x 3 x 11.1мм

Страна происхождения

China