ON Semiconductor MJD45H11G Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,75 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
60
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
90 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.38 x 6.73 x 6.22мм
Информация о товаре
PNP Power Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
75
P.O.A.
75
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,75 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
60
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
90 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.38 x 6.73 x 6.22мм
Информация о товаре
PNP Power Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.