onsemi MJD31C1G NPN Transistor, 3 A, 100 V, 4-Pin IPAK

Код товара RS: 178-4813Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MJD31C1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

15 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

1 МГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.73 x 2.38 x 6.22мм

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor MJD31C1G Транзистор
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi MJD31C1G NPN Transistor, 3 A, 100 V, 4-Pin IPAK

P.O.A.

onsemi MJD31C1G NPN Transistor, 3 A, 100 V, 4-Pin IPAK
Информация о наличии не успела загрузиться
Вас может заинтересовать
ON Semiconductor MJD31C1G Транзистор
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

15 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

1 МГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.73 x 2.38 x 6.22мм

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor MJD31C1G Транзистор
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)