ON Semiconductor MJD31C1G Транзистор

Код товара RS: 790-5340PБренд: onsemiПарт-номер производителя: MJD31C1G
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

15 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

1 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.73 x 2.38 x 6.22мм

Информация о товаре

NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Вас может заинтересовать
onsemi MJD31C1G NPN Transistor, 3 A, 100 V, 4-Pin IPAK
onsemi MJD31C1G NPN Transistor, 3 A, 100 V, 4-Pin IPAKБренд: onsemi
P.O.A.Each (In a Tube of 75) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MJD31C1G Транзистор
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 15.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 15.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

15

Доступно в кратности 15
15P.O.A.
30P.O.A.
45P.O.A.
60P.O.A.
75P.O.A.
90P.O.A.
105P.O.A.
120P.O.A.
135P.O.A.
150P.O.A.
165P.O.A.
180P.O.A.
195P.O.A.
210P.O.A.
225P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor MJD31C1G Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 15.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 15.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

15

Доступно в кратности 15
15P.O.A.
30P.O.A.
45P.O.A.
60P.O.A.
75P.O.A.
90P.O.A.
105P.O.A.
120P.O.A.
135P.O.A.
150P.O.A.
165P.O.A.
180P.O.A.
195P.O.A.
210P.O.A.
225P.O.A.
Вас может заинтересовать
onsemi MJD31C1G NPN Transistor, 3 A, 100 V, 4-Pin IPAK
onsemi MJD31C1G NPN Transistor, 3 A, 100 V, 4-Pin IPAKБренд: onsemi
P.O.A.Each (In a Tube of 75) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

15 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

1 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.73 x 2.38 x 6.22мм

Информация о товаре

NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Вас может заинтересовать
onsemi MJD31C1G NPN Transistor, 3 A, 100 V, 4-Pin IPAK
onsemi MJD31C1G NPN Transistor, 3 A, 100 V, 4-Pin IPAKБренд: onsemi
P.O.A.Each (In a Tube of 75) (ex VAT)