onsemi MJD127G PNP Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK

Код товара RS: 100-7580Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MJD127G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.01mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Высота

2.38мм

Ширина

6.22мм

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Страна происхождения

Czech Republic

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor MJD127G Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi MJD127G PNP Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK

P.O.A.

onsemi MJD127G PNP Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK
Информация о наличии не успела загрузиться
Вас может заинтересовать
ON Semiconductor MJD127G Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.01mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Высота

2.38мм

Ширина

6.22мм

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Страна происхождения

Czech Republic

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor MJD127G Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)