Transistor, Fairchild, J112
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
min. 5mA
Максимальное напряжение затвор-исток
-35 В
Максимальное напряжение сток-затвор
35V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
50 Ω
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-92
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
28пФ
Емкость исток-затвор
28пФ
Размеры
5.2 x 4.19 x 5.33мм
Высота
5.33мм
Ширина
4.19мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.2мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
min. 5mA
Максимальное напряжение затвор-исток
-35 В
Максимальное напряжение сток-затвор
35V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
50 Ω
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-92
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
28пФ
Емкость исток-затвор
28пФ
Размеры
5.2 x 4.19 x 5.33мм
Высота
5.33мм
Ширина
4.19мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.2мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.