ON Semiconductor J109 JFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
min. 40mA
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В
Максимальное напряжение сток-затвор
25V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
12 Ω
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-92
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
85пФ
Емкость исток-затвор
85пФ
Размеры
4.58 x 3.86 x 4.58мм
Высота
4.58мм
Ширина
3.86мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.58мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
min. 40mA
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В
Максимальное напряжение сток-затвор
25V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
12 Ω
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-92
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
85пФ
Емкость исток-затвор
85пФ
Размеры
4.58 x 3.86 x 4.58мм
Высота
4.58мм
Ширина
3.86мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.58мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.