ON Semiconductor FGH40N60SFDTU IGBT

Код товара RS: 124-1334Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FGH40N60SFDTU
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

290 Вт

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.6 x 4.7 x 20.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать
onsemi FGH40T100SMD IGBT, 80 A 1000 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
тг 1 855,05Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor FGH40N60SFDTU IGBT

P.O.A.

ON Semiconductor FGH40N60SFDTU IGBT
Информация о наличии не успела загрузиться
Вас может заинтересовать
onsemi FGH40T100SMD IGBT, 80 A 1000 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
тг 1 855,05Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

290 Вт

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.6 x 4.7 x 20.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать
onsemi FGH40T100SMD IGBT, 80 A 1000 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
тг 1 855,05Each (In a Pack of 2) (ex VAT)