onsemi FGAF40S65AQ IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальный непрерывный ток коллектора
80 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
94 Вт
Количество транзисторов
1
Тип корпуса
TO-3PF
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.7 x 5.7 x 24.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Емкость затвора
2590пФ
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Номинальная энергия
325µJ
Страна происхождения
Korea, Republic Of
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
360
P.O.A.
360
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальный непрерывный ток коллектора
80 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
94 Вт
Количество транзисторов
1
Тип корпуса
TO-3PF
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.7 x 5.7 x 24.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Емкость затвора
2590пФ
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Номинальная энергия
325µJ
Страна происхождения
Korea, Republic Of