Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Общий анод
Максимальное напряжение фиксации
11.4V
Минимальное пробивное напряжение
4V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
U-DFN2510
Число контактов
10
Максимальный пиковый импульсный ток
16A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
4
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Размеры
2.5 x 1 x 0.5мм
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Длина
2.5мм
Высота
0.5мм
Ширина
1мм
Испытательный ток
1mA
Информация о товаре
ESD Protectors, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
25 - 75 | P.O.A. |
100 - 225 | P.O.A. |
250 - 475 | P.O.A. |
500 - 975 | P.O.A. |
1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Общий анод
Максимальное напряжение фиксации
11.4V
Минимальное пробивное напряжение
4V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
U-DFN2510
Число контактов
10
Максимальный пиковый импульсный ток
16A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
4
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Размеры
2.5 x 1 x 0.5мм
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Длина
2.5мм
Высота
0.5мм
Ширина
1мм
Испытательный ток
1mA
Информация о товаре