Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Максимальное напряжение фиксации
10V
Минимальное пробивное напряжение
5.5V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
U-DFN2510
Максимальное обратное напряжение стабилизации
5V
Число контактов
10
Максимальный пиковый импульсный ток
1A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
5
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Размеры
2.5 x 1 x 0.5мм
Длина
2.5мм
Высота
0.5мм
Ширина
1мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Максимальное напряжение фиксации
10V
Минимальное пробивное напряжение
5.5V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
U-DFN2510
Максимальное обратное напряжение стабилизации
5V
Число контактов
10
Максимальный пиковый импульсный ток
1A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
5
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Размеры
2.5 x 1 x 0.5мм
Длина
2.5мм
Высота
0.5мм
Ширина
1мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре