Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальный непрерывный ток коллектора
80 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30.0V
Максимальное рассеяние мощности
268 Вт
Количество транзисторов
30
Тип корпуса
TO-247
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
onsemi AFGHL50T65SQD IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247
450
P.O.A.
onsemi AFGHL50T65SQD IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247
Информация о наличии не успела загрузиться
450
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальный непрерывный ток коллектора
80 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30.0V
Максимальное рассеяние мощности
268 Вт
Количество транзисторов
30
Тип корпуса
TO-247
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный