ON Semiconductor 2N3906BU Транзистор

Код товара RS: 124-1314Бренд: onsemiПарт-номер производителя: 2N3906BU
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

200 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

625 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

-40 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

5.2 x 4.19 x 5.33мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-0,4 В

Информация о товаре

Small Signal PNP Transistors, 40 to 50V, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor 2N3906BU Транзистор

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor 2N3906BU Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

200 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

625 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

-40 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

5.2 x 4.19 x 5.33мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-0,4 В

Информация о товаре

Small Signal PNP Transistors, 40 to 50V, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.