onsemi NXH80T120L2Q0P2TG IGBT Module 1200 V, 20-Pin Q0Pack, Surface Mount

Код товара RS: 195-8776Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: NXH80T120L2Q0P2TG
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

158 Вт

Тип корпуса

Q0Pack

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

20

Размеры

70.1 x 32.7 x 12.33мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi NXH80T120L2Q0P2TG IGBT Module 1200 V, 20-Pin Q0Pack, Surface Mount

24

Доступно в кратности 24
24P.O.A.
48P.O.A.
72P.O.A.
96P.O.A.
120P.O.A.
144P.O.A.
168P.O.A.
192P.O.A.
216P.O.A.
240P.O.A.
264P.O.A.
288P.O.A.
312P.O.A.
336P.O.A.
360P.O.A.

P.O.A.

onsemi NXH80T120L2Q0P2TG IGBT Module 1200 V, 20-Pin Q0Pack, Surface Mount
Информация о наличии не успела загрузиться

24

Доступно в кратности 24
24P.O.A.
48P.O.A.
72P.O.A.
96P.O.A.
120P.O.A.
144P.O.A.
168P.O.A.
192P.O.A.
216P.O.A.
240P.O.A.
264P.O.A.
288P.O.A.
312P.O.A.
336P.O.A.
360P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

158 Вт

Тип корпуса

Q0Pack

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

20

Размеры

70.1 x 32.7 x 12.33мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C