ON Semiconductor NGTB30N120FL2WG IGBT
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
1МГц
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток коллектора
60 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
452 Вт
Brand
ON SemiconductorРазмеры
16.25 x 5.3 x 21.4мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
E70 Sub-miniature Switches
E70 series sub-miniature snap action microswitches offer a long life coil spring mechanism in a moisture resistant splashproof housong. The E70 series is available with a wide choice of button or hinged actuators and is supplied with terminal leads.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
1МГц
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток коллектора
60 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
452 Вт
Brand
ON SemiconductorРазмеры
16.25 x 5.3 x 21.4мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
E70 Sub-miniature Switches
E70 series sub-miniature snap action microswitches offer a long life coil spring mechanism in a moisture resistant splashproof housong. The E70 series is available with a wide choice of button or hinged actuators and is supplied with terminal leads.