Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
-500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-10 V
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
2
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5000
Максимальное напряжение коллектор-база
-30 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-1,5 В
Максимальный запирающий ток коллектора
-100нА
Высота
1.01мм
Ширина
1.4мм
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
-500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-10 V
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
2
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5000
Максимальное напряжение коллектор-база
-30 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-1,5 В
Максимальный запирающий ток коллектора
-100нА
Высота
1.01мм
Ширина
1.4мм
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.