Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальная частота преобразования
630 кГц
Пусковой ток питания
110мкА
Максимальный ток источника
-4мкА
Максимальный втекающий ток
12мкА
Максимальный ток питания
5,2 мА
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
16
Размеры
10 x 4 x 1.5мм
Высота
1.5мм
Длина
10мм
Максимальное рабочее напряжение питания
18 В
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
4мм
Минимальное рабочее напряжение питания
9 В
Страна происхождения
Malaysia
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
5 - 20 | P.O.A. |
25 - 120 | P.O.A. |
125 - 245 | P.O.A. |
250 - 495 | P.O.A. |
500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальная частота преобразования
630 кГц
Пусковой ток питания
110мкА
Максимальный ток источника
-4мкА
Максимальный втекающий ток
12мкА
Максимальный ток питания
5,2 мА
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
16
Размеры
10 x 4 x 1.5мм
Высота
1.5мм
Длина
10мм
Максимальное рабочее напряжение питания
18 В
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
4мм
Минимальное рабочее напряжение питания
9 В
Страна происхождения
Malaysia