Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
10 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
4,5 В пост. тока
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В пост. тока
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 V dc
Максимальное рассеяние мощности
65 Вт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.28мм
Высота
15.75мм
Ширина
4.82мм
Размеры
10.28 x 4.82 x 15.75мм
Информация о товаре
PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
10 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
4,5 В пост. тока
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В пост. тока
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 V dc
Максимальное рассеяние мощности
65 Вт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.28мм
Высота
15.75мм
Ширина
4.82мм
Размеры
10.28 x 4.82 x 15.75мм
Информация о товаре
PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.