Transistor JFET N-Channel 25V TO236AB

Код товара RS: 626-3308PБренд: NXPПарт-номер производителя: PMBFJ308,215
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

NXP

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

12 → 60mA

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-25V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Максимальное сопротивление сток-исток

50 Ω

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Число контактов

3

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Ширина

1.4мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Transistor JFET N-Channel 25V TO236AB
Select packaging type

P.O.A.

Transistor JFET N-Channel 25V TO236AB
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Brand

NXP

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

12 → 60mA

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-25V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Максимальное сопротивление сток-исток

50 Ω

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Число контактов

3

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Ширина

1.4мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.