Техническая документация
Характеристики
Тип транзистора
NPN
Количество элементов на ИС
2
Резистор база-эмиттер
13кОм
Конфигурация транзистора
Двойной
Типичный входной резистор
10 кΩ
Число контактов
6
Типичный коэффициент резистора
4,7
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Тип корпуса
SOT-666
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Размеры
1.7 x 1.3 x 0.6мм
Brand
NexperiaСтрана происхождения
Malaysia
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
100
P.O.A.
Стандартная упаковка
100
Техническая документация
Характеристики
Тип транзистора
NPN
Количество элементов на ИС
2
Резистор база-эмиттер
13кОм
Конфигурация транзистора
Двойной
Типичный входной резистор
10 кΩ
Число контактов
6
Типичный коэффициент резистора
4,7
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Тип корпуса
SOT-666
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Размеры
1.7 x 1.3 x 0.6мм
Brand
NexperiaСтрана происхождения
Malaysia