Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN + PNP
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-666
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
1.7 x 1.3 x 0.6мм
Типичный входной резистор
2,2 кΩ
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
100
P.O.A.
Стандартная упаковка
100
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN + PNP
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-666
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
1.7 x 1.3 x 0.6мм
Типичный входной резистор
2,2 кΩ
Максимальная рабочая температура
+150 °C