Nexperia BST60 Dual PNP Darlington Transistor, -1 A 45 V HFE:1000, 3-Pin SOT-89

Код товара RS: 816-7811Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BST60
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Тип корпуса

SOT-89

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-1.9 V

Максимальное напряжение коллектор-база

-60 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-1.3 V

Максимальный запирающий ток коллектора

-50nA

Высота

1.6мм

Ширина

2.6мм

Размеры

4.6 x 2.6 x 1.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.6мм

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 245,85

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Nexperia BST60 Dual PNP Darlington Transistor, -1 A 45 V HFE:1000, 3-Pin SOT-89
Select packaging type

тг 245,85

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Nexperia BST60 Dual PNP Darlington Transistor, -1 A 45 V HFE:1000, 3-Pin SOT-89
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 490тг 245,85тг 2 458,50
500 - 2490тг 183,27тг 1 832,70
2500 - 4990тг 147,51тг 1 475,10
5000 - 9990тг 125,16тг 1 251,60
10000+тг 107,28тг 1 072,80

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Тип корпуса

SOT-89

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-1.9 V

Максимальное напряжение коллектор-база

-60 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-1.3 V

Максимальный запирающий ток коллектора

-50nA

Высота

1.6мм

Ширина

2.6мм

Размеры

4.6 x 2.6 x 1.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.6мм

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia