Nexperia BST52,115 NPN Darlington Transistor, 1 A 80 V HFE:1000, 4-Pin UPAK

Код товара RS: 484-2707Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BST52,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

UPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

90 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.00005mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

1.6мм

Размеры

4.6 x 2.6 x 1.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.6мм

Ширина

2.6мм

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 232,44

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Nexperia BST52,115 NPN Darlington Transistor, 1 A 80 V HFE:1000, 4-Pin UPAK
Select packaging type

тг 232,44

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Nexperia BST52,115 NPN Darlington Transistor, 1 A 80 V HFE:1000, 4-Pin UPAK
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 5тг 232,44тг 1 162,20
10 - 15тг 174,33тг 871,65
20 - 45тг 169,86тг 849,30
50 - 95тг 169,86тг 849,30
100+тг 120,69тг 603,45

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

UPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

90 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.00005mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

1.6мм

Размеры

4.6 x 2.6 x 1.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.6мм

Ширина

2.6мм

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia