GaAs silicon phototransisitor,ST23G 5mm
Техническая документация
Характеристики
Brand
KodenshiSpectrums Detected
Infrared
Типичное время затухания
4.8мкс
Типичное время нарастания
3.2мкс
Максимальный ток освещения
20mA
Максимальный темновой ток
100нА
Угол половинной чувствительности
30°
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
5 мм (T-1 3/4)
Размеры
4.6 x 2.54 x 4.6мм
Ток коллектора
40mA
Спектральный диапазон чувствительности
500 → 1050 nm
Минимальная определяемая длина волны
500нм
Максимальная определяемая длина волны
1050нм
Серия
ST
Длина
4.6мм
Ширина
2.54мм
Высота
4.6мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
KodenshiSpectrums Detected
Infrared
Типичное время затухания
4.8мкс
Типичное время нарастания
3.2мкс
Максимальный ток освещения
20mA
Максимальный темновой ток
100нА
Угол половинной чувствительности
30°
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
5 мм (T-1 3/4)
Размеры
4.6 x 2.54 x 4.6мм
Ток коллектора
40mA
Спектральный диапазон чувствительности
500 → 1050 nm
Минимальная определяемая длина волны
500нм
Максимальная определяемая длина волны
1050нм
Серия
ST
Длина
4.6мм
Ширина
2.54мм
Высота
4.6мм