Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
20 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
430 В
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
1кГц
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
10.54 x 4.69 x 15.24мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Информация о товаре
Automotive Ignition IGBT, Infineon
The IGBT is optimised for driving the coil in the harsh environment of automotive ignition systems. Active voltage clamps on the IGBT Gate-Emitter and Gate-Collector are included in the semiconductor package.
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
5
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
20 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
430 В
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
1кГц
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
10.54 x 4.69 x 15.24мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Информация о товаре
Automotive Ignition IGBT, Infineon
The IGBT is optimised for driving the coil in the harsh environment of automotive ignition systems. Active voltage clamps on the IGBT Gate-Emitter and Gate-Collector are included in the semiconductor package.
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.