Infineon IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT Transistor Module PG-TO263-7

Код товара RS: 258-3756Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IMBG120R350M1HXTMA1
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип корпуса

PG-TO263-7

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT Transistor Module PG-TO263-7

1000

Доступно в кратности 1
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

Infineon IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT Transistor Module PG-TO263-7
Информация о наличии не успела загрузиться

1000

Доступно в кратности 1
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип корпуса

PG-TO263-7