Infineon IGW75N65H5XKSA1 IGBT, 75 A 650 V, 3-Pin TO-247
Техническая документация
Характеристики
Количество транзисторов
1
Тип канала
N
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
Максимальный непрерывный ток коллектора
75 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
395 W
Brand
InfineonИнформация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Infineon IGW75N65H5XKSA1 IGBT, 75 A 650 V, 3-Pin TO-247
30
P.O.A.
Infineon IGW75N65H5XKSA1 IGBT, 75 A 650 V, 3-Pin TO-247
Информация о наличии не успела загрузиться
30
Техническая документация
Характеристики
Количество транзисторов
1
Тип канала
N
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
Максимальный непрерывный ток коллектора
75 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
395 W
Brand
Infineon