Infineon FD200R12KE3HOSA1 IGBT Module, 295 A 1200 V Module, Panel Mount
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
295 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/-20V
Максимальное рассеяние мощности
1,05 кВт
Тип корпуса
Module
Тип монтажа
Монтаж на панель
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Infineon FD200R12KE3HOSA1 IGBT Module, 295 A 1200 V Module, Panel Mount
10
P.O.A.
Infineon FD200R12KE3HOSA1 IGBT Module, 295 A 1200 V Module, Panel Mount
Информация о наличии не успела загрузиться
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
295 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/-20V
Максимальное рассеяние мощности
1,05 кВт
Тип корпуса
Module
Тип монтажа
Монтаж на панель