Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
800 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
45 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
200 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
100 - 2400 | P.O.A. |
2500 - 9900 | P.O.A. |
10000 - 49900 | P.O.A. |
50000 - 299900 | P.O.A. |
300000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
800 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
45 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
200 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Информация о товаре