Fuji Electric 2MBi75VA-120-50 Series IGBT Module, 75 A 1200 V, 7-Pin M263, Panel Mount
Техническая документация
Характеристики
Brand
Fuji ElectricМаксимальный непрерывный ток коллектора
75 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
390 Вт
Тип корпуса
M263
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
7
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
94 x 34 x 30мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 28 737,63
Each (ex VAT)
1
тг 28 737,63
Each (ex VAT)
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | тг 28 737,63 |
| 2 - 4 | тг 25 376,19 |
| 5 - 9 | тг 23 100,96 |
| 10 - 19 | тг 20 410,02 |
| 20+ | тг 20 351,91 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Fuji ElectricМаксимальный непрерывный ток коллектора
75 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
390 Вт
Тип корпуса
M263
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
7
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
94 x 34 x 30мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.