Fairchild Semiconductor HGTG30N60A4D IGBT
Техническая документация
Характеристики
Максимальный непрерывный ток коллектора
75 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.87 x 4.82 x 20.82мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
PRICED TO CLEAR
Yes
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Техническая документация
Характеристики
Максимальный непрерывный ток коллектора
75 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.87 x 4.82 x 20.82мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
PRICED TO CLEAR
Yes
Страна происхождения
China