Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DO-214AC (SMA)
Максимальный непрерывный прямой ток
2A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
500мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
50A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 2A to 9A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 151,98
Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 151,98
Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
50 - 200 | тг 151,98 | тг 7 599,00 |
250 - 450 | тг 75,99 | тг 3 799,50 |
500 - 1200 | тг 62,58 | тг 3 129,00 |
1250 - 2450 | тг 26,82 | тг 1 341,00 |
2500+ | тг 26,82 | тг 1 341,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DO-214AC (SMA)
Максимальный непрерывный прямой ток
2A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
500мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
50A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 2A to 9A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.