Sensor Inductive M8, Sr 1.5mm PNP M8
Техническая документация
Характеристики
Вид корпуса
Цилиндр экструдера
Защита от обратной полярности
Да
Защита от перегрузки при коротком замыкании
Да
Для использования с HMI
X2
Экранирование
Экранированный
Максимальная частота преобразования
1кГц
Размер резьбы
M8 x 1
Максимальное напряжение постоянного тока
30V
Минимальная рабочая температура
-25°C
Максимальная рабочая температура
+70°C
Степень защиты
IP67
Тип монтажа
Монтаж заподлицо
Материал корпуса
CuZn
Переключающий ток
200 мА
Дальность обнаружения
1,5 мм
Brand
BALLUFFТип выхода
PNP
Тип клеммы
M8 3-контактный
Длина
60мм
Напряжение питания
12 → 30 В пост. тока
Страна происхождения
Hungary
Информация о товаре
Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Вид корпуса
Цилиндр экструдера
Защита от обратной полярности
Да
Защита от перегрузки при коротком замыкании
Да
Для использования с HMI
X2
Экранирование
Экранированный
Максимальная частота преобразования
1кГц
Размер резьбы
M8 x 1
Максимальное напряжение постоянного тока
30V
Минимальная рабочая температура
-25°C
Максимальная рабочая температура
+70°C
Степень защиты
IP67
Тип монтажа
Монтаж заподлицо
Материал корпуса
CuZn
Переключающий ток
200 мА
Дальность обнаружения
1,5 мм
Brand
BALLUFFТип выхода
PNP
Тип клеммы
M8 3-контактный
Длина
60мм
Напряжение питания
12 → 30 В пост. тока
Страна происхождения
Hungary
Информация о товаре
Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.