Vishay 600V 15A, Rectifier Diode, 2-Pin TO-247AC VS-HFA15PB60-N3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальный непрерывный прямой ток
15A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
600V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Кремниевое соединение
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
2V
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Кремниевое соединение
Пиковое время обратного восстановления
60нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
150A
Информация о товаре
HEXFRED® Ultrafast Recovery Rectifiers, Vishay Semiconductor
The HEXFRED® range of products from Vishay are ultrafast recovery rectifiers that contain ultrafast planar technology with a proprietary Schottky barrier based inner structure that enables soft and fast recovery behaviour at any diF/dt condition. These characteristics mean that HEXFRED® products are well suited for use as a companion diode for IGBTs and MOSFETs.
Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | P.O.A. |
| 25 - 99 | P.O.A. |
| 100 - 249 | P.O.A. |
| 250 - 499 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальный непрерывный прямой ток
15A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
600V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Кремниевое соединение
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
2V
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Кремниевое соединение
Пиковое время обратного восстановления
60нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
150A
Информация о товаре
HEXFRED® Ultrafast Recovery Rectifiers, Vishay Semiconductor
The HEXFRED® range of products from Vishay are ultrafast recovery rectifiers that contain ultrafast planar technology with a proprietary Schottky barrier based inner structure that enables soft and fast recovery behaviour at any diF/dt condition. These characteristics mean that HEXFRED® products are well suited for use as a companion diode for IGBTs and MOSFETs.