Vishay VS-GB75YF120N Dual Half Bridge IGBT Module, 100 A 1200 V, 49-Pin ECONO2, PCB Mount
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayМаксимальный непрерывный ток коллектора
100 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
480 Вт
Тип корпуса
ECONO2
Конфигурация
Двойной полумост
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
49
Скорость переключения
8 → 60кГц
Конфигурация транзистора
Двойной полумост
Размеры
107.8 x 45.4 x 17мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, Vishay
Vishay’s high-efficiency IGBT modules come with a choice of PT, NPT, and Trench IGBT technologies. The range includes single switches, inverters, choppers, half-bridges, or in custom configurations. These IGBT Modules are designed to be used as a main switching device in switch mode power supplies, uninterruptible power supplies, industrial welding, motor drives, and power factor correction systems.
Typical applications include boost and buck converters, forward and double forward converters, half bridges, full bridges (H-bridge), and three-phase bridges.
IGBT Modules, Vishay
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 5 | P.O.A. |
| 6 - 11 | P.O.A. |
| 12 - 23 | P.O.A. |
| 24 - 35 | P.O.A. |
| 36+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayМаксимальный непрерывный ток коллектора
100 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
480 Вт
Тип корпуса
ECONO2
Конфигурация
Двойной полумост
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
49
Скорость переключения
8 → 60кГц
Конфигурация транзистора
Двойной полумост
Размеры
107.8 x 45.4 x 17мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, Vishay
Vishay’s high-efficiency IGBT modules come with a choice of PT, NPT, and Trench IGBT technologies. The range includes single switches, inverters, choppers, half-bridges, or in custom configurations. These IGBT Modules are designed to be used as a main switching device in switch mode power supplies, uninterruptible power supplies, industrial welding, motor drives, and power factor correction systems.
Typical applications include boost and buck converters, forward and double forward converters, half bridges, full bridges (H-bridge), and three-phase bridges.
IGBT Modules, Vishay
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.