Vishay VS-GP400TD60S Модуль IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayМаксимальный непрерывный ток коллектора
750 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
1,56 Вт
Тип корпуса
INT-A-PAK
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
7
Скорость переключения
1кГц
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
108 x 62 x 15мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
IGBT Modules, Vishay
Vishay’s high-efficiency IGBT modules come with a choice of PT, NPT, and Trench IGBT technologies. The range includes single switches, inverters, choppers, half-bridges, or in custom configurations. These IGBT Modules are designed to be used as a main switching device in switch mode power supplies, uninterruptible power supplies, industrial welding, motor drives, and power factor correction systems.
Typical applications include boost and buck converters, forward and double forward converters, half bridges, full bridges (H-bridge), and three-phase bridges.
IGBT Modules, Vishay
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 2 | P.O.A. |
| 3 - 5 | P.O.A. |
| 6 - 11 | P.O.A. |
| 12 - 23 | P.O.A. |
| 24+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayМаксимальный непрерывный ток коллектора
750 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
1,56 Вт
Тип корпуса
INT-A-PAK
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
7
Скорость переключения
1кГц
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
108 x 62 x 15мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
IGBT Modules, Vishay
Vishay’s high-efficiency IGBT modules come with a choice of PT, NPT, and Trench IGBT technologies. The range includes single switches, inverters, choppers, half-bridges, or in custom configurations. These IGBT Modules are designed to be used as a main switching device in switch mode power supplies, uninterruptible power supplies, industrial welding, motor drives, and power factor correction systems.
Typical applications include boost and buck converters, forward and double forward converters, half bridges, full bridges (H-bridge), and three-phase bridges.
IGBT Modules, Vishay
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.