Vishay VS-CPV364M4UPBF, IMS-2 , N-Channel Common Collector IGBT Module, 20 A max, 600 V, Through Hole

Код товара RS: 700-4400PБренд: VishayПарт-номер производителя: VS-CPV364M4UPBF
brand-logo
View all in Модули БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Максимальный непрерывный ток коллектора

20 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип корпуса

IMS-2

Конфигурация

Общий коллектор

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

13

Конфигурация транзистора

Трехфазные

Размеры

62.43 x 7.87 x 21.97мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Modules, Vishay

Vishay’s high-efficiency IGBT modules come with a choice of PT, NPT, and Trench IGBT technologies. The range includes single switches, inverters, choppers, half-bridges, or in custom configurations. These IGBT Modules are designed to be used as a main switching device in switch mode power supplies, uninterruptible power supplies, industrial welding, motor drives, and power factor correction systems.

Typical applications include boost and buck converters, forward and double forward converters, half bridges, full bridges (H-bridge), and three-phase bridges.

IGBT Modules, Vishay

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay VS-CPV364M4UPBF, IMS-2 , N-Channel Common Collector IGBT Module, 20 A max, 600 V, Through Hole
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Vishay VS-CPV364M4UPBF, IMS-2 , N-Channel Common Collector IGBT Module, 20 A max, 600 V, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Максимальный непрерывный ток коллектора

20 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип корпуса

IMS-2

Конфигурация

Общий коллектор

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

13

Конфигурация транзистора

Трехфазные

Размеры

62.43 x 7.87 x 21.97мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Modules, Vishay

Vishay’s high-efficiency IGBT modules come with a choice of PT, NPT, and Trench IGBT technologies. The range includes single switches, inverters, choppers, half-bridges, or in custom configurations. These IGBT Modules are designed to be used as a main switching device in switch mode power supplies, uninterruptible power supplies, industrial welding, motor drives, and power factor correction systems.

Typical applications include boost and buck converters, forward and double forward converters, half bridges, full bridges (H-bridge), and three-phase bridges.

IGBT Modules, Vishay

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.