Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
TO-263AC
Максимальный непрерывный прямой ток
30A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
60V
Конфигурация диода
Общий катод
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
700мВ
Количество элементов на ИС
2
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
170A
Страна происхождения
China
Информация о товаре
TMBS - Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers, 30A to 80A, Vishay Semiconductor
The Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series by Vishay contain a patented trench structure. TMBS rectifiers offer several advantages over planar Schottky rectifiers. At operating voltages of 45V and above planar Schottky rectifiers can lose their advantage of fast switching speeds and low forward drop to a significant degree. The patented TMBS structure addresses these issues by diminishing minority carrier injections to the drift region, therefore minimising stored charges and improving switching speeds.
Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
TO-263AC
Максимальный непрерывный прямой ток
30A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
60V
Конфигурация диода
Общий катод
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
700мВ
Количество элементов на ИС
2
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
170A
Страна происхождения
China
Информация о товаре
TMBS - Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers, 30A to 80A, Vishay Semiconductor
The Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series by Vishay contain a patented trench structure. TMBS rectifiers offer several advantages over planar Schottky rectifiers. At operating voltages of 45V and above planar Schottky rectifiers can lose their advantage of fast switching speeds and low forward drop to a significant degree. The patented TMBS structure addresses these issues by diminishing minority carrier injections to the drift region, therefore minimising stored charges and improving switching speeds.