Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 27 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISS23DN-T1-GE3

Код товара RS: 814-1314PБренд: VishayПарт-номер производителя: SISS23DN-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

27 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

11,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

57 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

195 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

3.3мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.78мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 27 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISS23DN-T1-GE3
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 27 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISS23DN-T1-GE3

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

27 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

11,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

57 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

195 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

3.3мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.78мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor