Dual N-Channel MOSFET, 3.7 A, 30 V, 8-Pin 1206 ChipFET Vishay SI5902BDC-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
1206 ChipFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
3,12 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4,5 нКл при 10 В
Ширина
1.7мм
Количество элементов на ИС
2
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 290 | P.O.A. |
| 300 - 590 | P.O.A. |
| 600 - 1490 | P.O.A. |
| 1500 - 2990 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
1206 ChipFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
3,12 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4,5 нКл при 10 В
Ширина
1.7мм
Количество элементов на ИС
2
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China