Vishay SI3483CDV-T1-GE3 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
53 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
4,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 20 - 280 | P.O.A. |
| 300 - 580 | P.O.A. |
| 600 - 1480 | P.O.A. |
| 1500 - 2980 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
53 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
4,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре